The surface potential of GaN:Si

The surface potential of GaN:Si, of fundamental interest for knowledge of the electrostatic potential and electric field strength, is determined for Si doping in the device relevant range from 6 × 10 17   cm − 3 to 2.3 × 10 19   cm − 3 , in layers grown by low-pressure metal-organic vapor-phase epit...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2008-01, Vol.103 (2), p.023706-023706-5
Hauptverfasser:	Köhler, K., Wiegert, J., Menner, H. P., Maier, M., Kirste, L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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