Violet to deep-ultraviolet InGaN∕GaN and GaN∕AlGaN quantum structures for UV electroabsorption modulators

In this paper, we present four GaN based polar quantum structures grown on c-plane embedded in p-i-n diode architecture as a part of high-speed electroabsorption modulators for use in optical communication (free-space non-line-of-sight optical links) in the ultraviolet (UV): the first modulator inco...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2007-12, Vol.102 (11)
Hauptverfasser:	Ozel, Tuncay, Sari, Emre, Nizamoglu, Sedat, Demir, Hilmi Volkan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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