Origin of the drain current bistability in polymer ferroelectric field-effect transistors

The authors present measurements that elucidate the mechanism behind the observed drain current bistability in ferroelectric field-effect transistors based on the ferroelectric polymer poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) as the gate dielectric. Capacitance-voltage measurements on metal-insul...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2007-03, Vol.90 (11)
Hauptverfasser:	Naber, R. C. G., Massolt, J., Spijkman, M., Asadi, K., Blom, P. W. M., de Leeuw, D. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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