Ultrathin Si capping layer suppresses charge trapping in HfOxNy∕Ge metal-insulator-semiconductor capacitors

In this study the authors investigated the Ge outdiffusion characteristics of HfOxNy∕Ge metal-insulator-semiconductor capacitors to determine their charge trapping behavior. Capping the Ge substrate with an ultrathin Si layer inhibits the incorporation of Ge into the high-k bulk dielectric in the fo...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2007-01, Vol.90 (1)
Hauptverfasser:	Cheng, Chao-Ching, Chien, Chao-Hsin, Luo, Guang-Li, Yang, Chun-Hui, Kuo, Mei-Ling, Lin, Je-Hung, Chang, Chun-Yen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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