Improved memory window for Ge nanocrystals embedded in SiON layer

The formation of germanium (Ge) nanocrystals embedded in silicon oxygen nitride (SiON) is proposed for charge storage elements in this work. The Ge nanocrystals can be nucleated after the oxidation process of silicon germanium nitride (SiGeN) layer at high temperatures. Compared to the control sampl...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2006-10, Vol.89 (16), p.162105-162105-3
Hauptverfasser:	Tu, Chun-Hao, Chang, Ting-Chang, Liu, Po-Tsun, Liu, Hsin-Chou, Sze, Simon M., Chang, Chun-Yen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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