Photogating carbon nanotube transistors

Optoelectronic measurements of carbon nanotube transistors have shown a wide variety of sensitivites to the incident light. Direct photocurrent processes compete with a number of extrinsic mechanisms. Here we show that visible light absorption in the silicon substrate generates a photovoltage that c...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2006-10, Vol.100 (8), p.084306-084306-6
Hauptverfasser:	Marcus, Matthew S., Simmons, J. M., Castellini, O. M., Hamers, R. J., Eriksson, M. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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