Degradation mechanisms in InGaN laser diodes grown on bulk GaN crystals

We have investigated the aging processes in InGaN laser diodes fabricated by metal organic vapor phase epitaxy on low-dislocation-density, high-pressure-grown bulk gallium nitride crystals. The measured threshold current turned out to be a square root function of aging time, indicating the importanc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2006-05, Vol.88 (20), p.201111-201111-3
Hauptverfasser:	Marona, L., Wisniewski, P., Prystawko, P., Grzegory, I., Suski, T., Porowski, S., Perlin, P., Czernecki, R., Leszczyński, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!