Energy of excitons in CuInS2 single crystals
High-quality single crystals of CuInS2, grown by the traveling heater method in an indium solvent, were characterized using photoluminescence (PL) and reflectance (RF) at temperatures from 4.2to300K. A number of well-resolved sharp excitonic peaks have been observed in the near-band-edge region of t...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2006-01, Vol.88 (1) |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!