Voltage-controlled tunneling anisotropic magnetoresistance of a ferromagnetic p++-(Ga,Mn)As∕n+-GaAs Zener-Esaki diode

The large tunneling anisotropic magnetoresistance of a ferromagnetic p++-(Ga,Mn)As∕n+-GaAs Zener-Esaki diode is shown in a perpendicular magnetic field over a large temperature and voltage range. Under an applied bias, the tunnel junction transparency is modified, allowing one to continuously tune a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-12, Vol.87 (24)
Hauptverfasser:	Giraud, R., Gryglas, M., Thevenard, L., Lemaître, A., Faini, G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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