Microcavity plasma photodetectors: Photosensitivity, dynamic range,and the plasma-semiconductor interface

Detailed measurements of the photosensitivity of Si microcavity plasma photodetectors in the visible and near-infrared (420-1100 nm) are reported for input optical intensities to a 100 × 100 μ m 2 inverted pyramid device varied over three orders of magnitude ( 10 − 5 - 10 − 2 W cm − 2 ) . By resolvi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-10, Vol.87 (14), p.141101-141101-3
Hauptverfasser:	Ostrom, N. P., Eden, J. G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!