Zn(O,OH) layers in chalcopyrite thin-film solar cells: Valence-band maximum versus composition

Zn(O,OH) layers deposited by the ion layer gas reaction (ILGAR) technique have the potential to replace the conventionally used CdS buffer layer in Cu ( In ( 1 − X ) Ga X ) ( S Y Se ( 1 − Y ) ) 2 -based thin-film solar cells. To avoid stability issues, the fraction of metastable Zn ( O H ) 2 should...

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Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2005-09, Vol.98 (5), p.053702-053702-8
Hauptverfasser: Bär, M., Reichardt, J., Grimm, A., Kötschau, I., Lauermann, I., Rahne, K., Sokoll, S., Lux-Steiner, M. C., Fischer, Ch.-H., Weinhardt, L., Umbach, E., Heske, C., Jung, Ch, Niesen, T. P., Visbeck, S.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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