Zn(O,OH) layers in chalcopyrite thin-film solar cells: Valence-band maximum versus composition
Zn(O,OH) layers deposited by the ion layer gas reaction (ILGAR) technique have the potential to replace the conventionally used CdS buffer layer in Cu ( In ( 1 − X ) Ga X ) ( S Y Se ( 1 − Y ) ) 2 -based thin-film solar cells. To avoid stability issues, the fraction of metastable Zn ( O H ) 2 should...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2005-09, Vol.98 (5), p.053702-053702-8 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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