Controlled band offset in ( Gd 2 O 3 ) 1 − x ( SiO 2 ) x ( 0 ⩽ x ⩽ 1 ) ∕ n - GaAs (001) structure

This letter investigates the chemistry and energy band structure of ( Gd 2 O 3 ) 1 − x ( SiO 2 ) x ( 0 ⩽ x ⩽ 1 ) films grown on n -GaAs (001). Dielectric band gap and interfacial band alignment of Gd 2 O 3 films were modified by compounding with SiO 2 . Binding energy shift of core level was observe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-07, Vol.87 (2), p.022104-022104-3
Hauptverfasser:	Yang, Jun-Kyu, Park, Hyung-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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