Formation of two-dimensional electron gases in polytypic SiC heterostructures

The formation of two-dimensional electron gases (2DEGs) at polytypic (hexagonal/cubic) SiC heterojunctions (4H/3C SiC and 6H/3C SiC) is investigated by numerical self-consistent solutions of the Schrödinger and Poisson equations. The free-electron-density distributions and conduction-band profiles i...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2005-07, Vol.98 (2)
Hauptverfasser:	Polyakov, V. M., Schwierz, F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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