Detection of halide ions with AlGaN∕GaN high electron mobility transistors

Al Ga N ∕ Ga N high electron mobility transistors (HEMTs) both with and without a Au gate are found to exhibit significant changes in channel conductance upon exposing the gate region to various halide ions. The polar nature of the halide ions leads to a change of surface charge in the gate region o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-04, Vol.86 (17)
Hauptverfasser:	Kang, B. S., Ren, F., Kang, M. C., Lofton, C., Tan, Weihong, Pearton, S. J., Dabiran, A., Osinsky, A., Chow, P. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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