Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si(111): Beyond the surface

For a characterization of interface and "bulk" properties of Ge films grown on Si(111) by Sb surfactant-mediated epitaxy, grazing incidence x-ray diffraction and transmission electron microscopy have been used. The interface roughness, defect structure, and strain state have been investiga...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2005-03, Vol.86 (11), p.111910-111910-3
Hauptverfasser:	Schmidt, Th, Kröger, R., Clausen, T., Falta, J., Janzen, A., Kammler, M., Kury, P., Zahl, P., Horn-von Hoegen, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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