Photoluminescence mapping study of gettering effect of polycrystalline Si on ultrathin silicon-on-insulator

High-resolution photoluminescence (PL) mapping measurement was performed to study the gettering effect of polycrystalline Si on ultrathin silicon-on-insulator (SOI) wafers. A 150-mm-diam Unibond SOI wafer was patterned and partially gettered by polycrystalline Si process at 600°C for 1 h. Then the w...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2004-12, Vol.85 (23), p.5688-5690
Hauptverfasser:	Li, Z. Q., Tajima, M., Kitai, N., Yoshida, H., Kishino, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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