Dependence of ferromagnetic properties on carrier transfer at GaMnN∕GaN:Mg interface

We report on the dependence of ferromagnetic properties of metalorganic chemical vapor deposition grown GaMnN films on carrier transfer across adjacent layers. We found that the magnetic properties of GaMnN, as a part of GaMnN∕GaN:Mg heterostructures, depend on the thickness of both the GaMnN film a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2004-10, Vol.85 (17), p.3809-3811
Hauptverfasser:	Arkun, F. E., Reed, M. J., Berkman, E. A., El-Masry, N. A., Zavada, J. M., Reed, M. L., Bedair, S. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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