Ultrasensitive radio-frequency pseudomorphic high-electron-mobility-transistor readout for quantum devices

Two versions of a cryogenic multistage pseudomorphic high-electron-mobility field-effect transistor amplifier (based on the AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure) have been designed for quantum device readout and tested at an ambient temperature ∼ 380 mK . The minimum noise temperature of the first amp...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2004-10, Vol.85 (14), p.2956-2958
Hauptverfasser:	Oukhanski, Nikolai, Hoenig, Eckhardt
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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