Photoelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide

Photoelectrochemical etching of highly doped n-type 4H SiC in dilute hydrofluoric acid along different crystallographic orientations under low voltage and/or low current conditions is studied. Scanning electron microscope images show that anodization of the hexagonal polytype 4H SiC with subsequent...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2004-08, Vol.96 (4), p.2311-2322
Hauptverfasser:	Shishkin, Y., Choyke, W. J., Devaty, R. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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