Hot-phonon-induced velocity saturation in GaN

In highly polar semiconductors with electron densities typically found in heterostructure field-effect transistors (HFETs), transport cannot be described without taking hot phonons into account. Here we describe a simple analytical model applied to the case of bulk GaN, taking the nonparabolicity of...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2004-08, Vol.96 (3), p.1499-1502
Hauptverfasser:	Ridley, B. K., Schaff, W. J., Eastman, L. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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