Oxygen Adsorption on Silicon and Germanium

Data are presented which yield relative magnitudes of the initial, room-temperature sticking probabilities S0 of nitrogen on clean tungsten and oxygen on clean silicon and germanium. Taking S0 to be 0.35 for N2 on W, we obtain 1×10−2 and 8×10−4 for S0 of O2 on Si and Ge, respectively. Data are also...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1961-01, Vol.32 (6), p.1020-1022
1. Verfasser:	Hagstrum, Homer D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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