Si-defect concentrations in heavily Si-doped GaAs: Changes induced by annealing

Previously reported annealing effects on the carrier density and free-carrier absorption are correlated with photoluminescence and localized vibrational mode infrared absorption measurements of annealed samples of heavily doped GaAs: Si. Annealing in the range 400≤TA≤750 °C produces the following qu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1974-10, Vol.45 (10), p.4477-4486
Hauptverfasser:	Kung, J. K., Spitzer, W. G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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