Cell-Wall Dislocation Damping in Single-Crystal Cu

The dislocation substructure of 〈111〉 Cu single crystals has been controlled by varying crystal growth rates from 1.57 to 109 cm/h. Etch-pitting and x-ray studies reveal that the substructure consists of a random dislocation network, with density 1×106/cm1 independent of growth rate, and dislocation...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1971-01, Vol.42 (6), p.2203-2208
Hauptverfasser:	Akita, H., Fiore, N. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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