Determination of the width of the carrier recombination zone in organic light-emitting diodes

Bilayer organic light-emitting diodes based on tris-(8-hydroxyquinolinato) aluminum III have been fabricated where the thickness of the light-emitting layer was varied between 10 and 80 nm while maintaining a constant total thickness of the organic layers. The electroluminescence quantum efficiency...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2003-12, Vol.94 (12), p.7764-7767
Hauptverfasser:	Kalinowski, J., Palilis, L. C., Kim, W. H., Kafafi, Z. H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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