Nanometer precision metrology of submicron Cu/SiO2 interconnects using fluorescence and transmission x-ray microscopy

We used hard x-ray fluorescence and soft x-ray transmission microscopy to quantitatively measure “in situ” Cu/SiO2 interconnect dimensions down to 0.3 μm dimensions. We describe methods and analysis techniques for measuring submicron linewidths, lengths, and thicknesses with accuracies of 30–60 nm p...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2003-11, Vol.94 (9), p.6040-6049
Hauptverfasser:	Xu, Guangyong, Eastman, D. E., Lai, B., Cai, Z., McNulty, I., Frigo, S., Noyan, I. C., Hu, C. K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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