Defect reduction in (112̄0)  a -plane gallium nitride via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapor-phase epitaxy

This letter reports on the reduction in extended-defect densities in a-plane (112̄0) GaN films achieved via lateral epitaxial overgrowth (LEO) by hydride vapor phase-epitaxy. A variety of dielectric mask patterns was used to produce 8–125-μm-thick, fully coalesced nonpolar GaN films. The nanometer-s...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2003-07, Vol.83 (4), p.644-646
Hauptverfasser:	Haskell, B. A., Wu, F., Craven, M. D., Matsuda, S., Fini, P. T., Fujii, T., Fujito, K., DenBaars, S. P., Speck, J. S., Nakamura, Shuji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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