Hot-carrier charge trapping and trap generation in HfO2 and Al2O3 field-effect transistors

We present a comprehensive experimental study of hot-carrier trap generation and charging effects in high-κ dielectrics using field-effect transistors fabricated with HfO2 and Al2O3 gate insulator stacks and polycrystalline silicon gates. The experiments utilize substrate injection of hot carriers g...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2003-08, Vol.94 (3), p.1728-1737
Hauptverfasser:	Kumar, Arvind, Fischetti, Massimo V., Ning, Tak H., Gusev, Evgeni
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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