Modeling of ferromagnetic semiconductor devices for spintronics
We develop physical models for magnetic semiconductor devices, where a part of the device structure consists of a ferromagnetic semiconductor layer. First we calculate the effect of the exchange interaction between the charge carrier spins and the spins of the localized magnetic electrons on the ele...
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| Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2003-06, Vol.93 (12), p.9845-9864 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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