Magnetic-field effects in defect-controlled ferromagnetic Ga1−xMnxAs semiconductors

We have studied the magnetic-field and concentration dependences of the magnetizations of the hole and Mn subsystems in diluted ferromagnetic semiconductor Ga1−xMnxAs. A mean-field approximation to the hole-mediated interaction is used, in which the hole concentration p(x) is parametrized in terms o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2003-02, Vol.93 (3), p.1845-1847
Hauptverfasser:	dos Santos, Raimundo R., d’Albuquerque e Castro, José, Oliveira, Luiz E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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