Characterization of silicate/Si(001) interfaces

Many of the proposed high permittivity gate dielectrics for silicon-based microelectronics rely on a stack configuration, with an SiO2 buffer layer to provide an interface. We describe a means for creating gate dielectrics with a direct yttrium silicate–silicon interface through the solid-state reac...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2002-11, Vol.81 (22), p.4227-4229
Hauptverfasser:	Copel, M., Cartier, E., Narayanan, V., Reuter, M. C., Guha, S., Bojarczuk, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!