Electrically isolated SiGe quantum dots

A variation of electric force microscopy (EFM) is used to measure the electrical isolation of SiGe quantum dots (QDs). The SiGe QDs are grown on mesas of ultrathin silicon on insulator. Near the mesa edges, the thin silicon layer has been incorporated into the QDs, resulting in electrically isolated...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2002-06, Vol.80 (24), p.4626-4628
Hauptverfasser:	Tevaarwerk, Emma, Rugheimer, P., Castellini, O. M., Keppel, D. G., Utley, S. T., Savage, D. E., Lagally, M. G., Eriksson, M. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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