Structural and electrical characterization of AuTiAlTi/AlGaN/GaN ohmic contacts

AuTiAlTi/AlGaN/GaN ohmic contact structures rapid thermal annealed at 650, 750, 850, and 950 °C have been analyzed using complementary transmission electron microscopy and electrical characterization techniques. The relationship between annealing temperature, interfacial microstructure, and contact...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2002-07, Vol.92 (1), p.94-100
Hauptverfasser:	Fay, M. W., Moldovan, G., Brown, P. D., Harrison, I., Birbeck, J. C., Hughes, B. T., Uren, M. J., Martin, T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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