Epitaxial-grade polycrystalline Pb(Zr,Ti)O3 film deposited at low temperature by pulsed-metalorganic chemical vapor deposition

Epitaxial-grade polycrystalline Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) films were deposited at 415 °C by source- gas-pulsed-introduced metalorganic chemical vapor deposition. The polycrystalline PZT film with Zr/(Zr+Ti)=0.35 which was prepared on (111)Pt/Ti/SiO2/Si substrate showed highly (100)- and (001)-preferred orie...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2001-08, Vol.79 (7), p.1000-1002
Hauptverfasser:	Aratani, Masanori, Oikawa, Takahiro, Ozeki, Tomohiko, Funakubo, Hiroshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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