Maskless etching of silicon using patterned microdischarges

Microdischarges in flexible copper-polyimide structures with hole diameters of 200 μm have been used as stencil masks to pattern bare silicon in CF4/Ar chemistry. The discharges were operated at 20 Torr using the substrate as the cathode, achieving etch rates greater than 7 μm/min. Optical emission...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2001-07, Vol.79 (5), p.593-595
Hauptverfasser:	Sankaran, R. M., Giapis, K. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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