Quantum dot infrared photodetectors

Self-assembled strained semiconductor nanostructures have been grown on GaAs substrates to fabricate quantum dot infrared photodetectors. State-filling photoluminescence experiments have been used to probe the zero-dimensional states and revealed four atomic-like shells (s,p,d,f) with an excitonic i...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2001-01, Vol.78 (1), p.79-81
Hauptverfasser:	Liu, H. C., Gao, M., McCaffrey, J., Wasilewski, Z. R., Fafard, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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