Structural and dielectric properties of epitaxial Ba1−xSrxTiO3/Bi4Ti3O12/ZrO2 heterostructures grown on silicon

We report on the dielectric properties of an epitaxial heterostructure comprised of Ba1−xSrxTiO3, Bi4Ti3O12, and (ZrO2)0.91(Y2O3)0.09 grown on silicon substrates for potential use in microwave devices. Careful x-ray analysis indicates crystallographic alignment of all layers and transmission electro...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-09, Vol.77 (10), p.1523-1525
Hauptverfasser:	Canedy, C. L., Aggarwal, S., Li, Hao, Venkatesan, T., Ramesh, R., Van Keuls, F. W., Romanofsky, R. R., Miranda, F. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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