Bias-assisted photoelectrochemical etching of p-GaN at 300 K

Photoelectrochemical (PEC) etching of p-type GaN has been realized in room temperature, 0.1 M KOH solutions. PEC etching of GaN was achieved by applying a positive bias to the surface of the p-GaN layer through a deposited titanium mask. The applied bias reduces the field at the semiconductor surfac...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-08, Vol.77 (8), p.1227-1229
Hauptverfasser:	Borton, J. E., Cai, C., Nathan, M. I., Chow, P., Van Hove, J. M., Wowchak, A., Morkoc, H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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