Solar-blind AlGaN-based inverted heterostructure photodiodes

True solar-blind operation with a sharp responsivity cutoff at ∼300 nm has been demonstrated in AlGaN-based photodiodes using an “inverted heterostructure photodiode” design. This structure utilizes an AlxGa1−xN(x>0.3) intrinsic or lightly doped active layer surrounded by p- and/or n-type contact...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-07, Vol.77 (3), p.316-318
Hauptverfasser:	Tarsa, E. J., Kozodoy, P., Ibbetson, J., Keller, B. P., Parish, G., Mishra, U.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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