High quality Ge on Si by epitaxial necking

We show that pure Ge grown selectively on SiO2/Si substrates in 100 nm holes is highly perfect at the top surface compared to conventional Ge lattice-mismatched growth on planar Si substrates. This result is achieved through a combination of interferometric lithography SiO2/Si substrate patterning a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-06, Vol.76 (25), p.3700-3702
Hauptverfasser:	Langdo, T. A., Leitz, C. W., Currie, M. T., Fitzgerald, E. A., Lochtefeld, A., Antoniadis, D. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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