Tuning of conduction intersublevel absorption wavelengths in (In, Ga)As/GaAs quantum-dot nanostructures

We demonstrate that by increasing the amount of (In, Ga)As deposit in a quantum dot layer, the intersublevel absorption wavelength for (In, Ga)As/GaAs quantum-dot infrared photodetectors can be blue-shifted from 15 to 10 μm while the photoluminescence peak is red-shifted. We directly compare the mea...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-06, Vol.76 (24), p.3537-3539
Hauptverfasser:	Pan, Dong, Towe, Elias, Kennerly, Steve, Kong, Mei-Ying
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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