Influence of oxygen on the activation of p -type GaN

The presence of oxygen in the annealing environment can exhibit a strong influence on the activation of p-GaN, as demonstrated by experiments described in this letter. We activated p-GaN at 600–900 °C in four environments: ultrahigh purity (UHP) N2 gettered to remove residual O2, UHP N2 without gett...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-04, Vol.76 (16), p.2271-2273
Hauptverfasser:	Hull, B. A., Mohney, S. E., Venugopalan, H. S., Ramer, J. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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