A model for fatigue in ferroelectric perovskite thin films

An analytic expression in closed form is given for “fatigue,” the dependence of P(N), the switched charge per unit area P versus switching event number N, in ABO3 perovskite structure ferroelectric thin films is given. The analysis is based upon Arlt’s model for fatigue in bulk perovskites, which in...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-02, Vol.76 (8), p.1060-1062
Hauptverfasser:	Dawber, Matthew, Scott, J. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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