n -type conduction in Ge-doped CuGaSe2

In order to prepare n-type CuGaSe2 as-grown, p-type CuGaSe2 single crystals were at first doped by Ge implantation. Thermal healing of the implantation damage in vacuum resulted in strong electrical compensation of the material, but not in n-type conduction. This limitation was overcome by annealing...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1999-11, Vol.75 (19), p.2969-2971
Hauptverfasser:	Schön, J. H., Oestreich, J., Schenker, O., Riazi-Nejad, H., Klenk, M., Fabre, N., Arushanov, E., Bucher, E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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