Passivation of GaAs using (Ga2O3)1−x(Gd2O3)x, 0⩽x⩽1.0 films

The Ga2O3(Gd2O3) dielectric film was previously discovered to passivate the GaAs surface effectively. We have investigated the systematic dependence of the dielectric properties of (Ga2O3)1−x(Gd2O3)x on the Gd (x) content. Our results show that pure Ga2O3 does not passivate GaAs. Films with x⩾14% ar...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1999-08, Vol.75 (8), p.1116-1118
Hauptverfasser:	Kwo, J., Murphy, D. W., Hong, M., Opila, R. L., Mannaerts, J. P., Sergent, A. M., Masaitis, R. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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