Urbach energy dependence of the stability in amorphous silicon thin-film transistors

We investigate the relationship between the stability of amorphous silicon thin-film transistors (a-Si:H TFTs) and the bulk properties of a-Si:H films. Threshold voltage shifts in a-Si:H TFTs are characterized by the thermalization energy Eth for different times and temperatures and fitted by {1+exp...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1999-05, Vol.74 (22), p.3374-3376
Hauptverfasser:	Wehrspohn, R. B., Deane, S. C., French, I. D., Gale, I. G., Powell, M. J., Brüggemann, R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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