Interdiffusion of In and Ga in InGaN quantum wells

Interdiffusion of In and Ga is observed in InGaN/GaN multiple quantum wells for annealing temperatures of 1300–1400 °C. Hydrostatic pressures of up to 15 kbar were applied to prevent surface decomposition. In as-grown material, x-ray diffraction spectra show InGaN diffraction peaks up to the fourth...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1998-08, Vol.73 (9), p.1281-1283
Hauptverfasser:	McCluskey, M. D., Romano, L. T., Krusor, B. S., Johnson, N. M., Suski, T., Jun, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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