Minority carrier diffusion length and lifetime in GaN

Electron beam induced current measurements on planar Schottky diodes on undoped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition are reported. The minority carrier diffusion length of 0.28 μm has been measured, indicating minority carrier lifetime of 6.5 ns. The tapping mode atomic force microsco...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1998-06, Vol.72 (24), p.3166-3168
Hauptverfasser:	Bandić, Z. Z., Bridger, P. M., Piquette, E. C., McGill, T. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!