Bowing parameter of the band-gap energy of GaNxAs1−x

We report a study of nitrogen incorporation in GaAs using a N rf plasma source. The N composition can be increased by lowering the growth temperature. X-ray diffraction shows no phase separation. Optical absorption measurements indicate that GaNxAs1−x is a direct band-gap material in the N compositi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1997-03, Vol.70 (12), p.1608-1610
Hauptverfasser:	Bi, W. G., Tu, C. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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