An amorphous silicon thin film transistor fabricated at 125 °C by dc reactive magnetron sputtering

We deposited hydrogenated amorphous silicon-based thin film transistors using dc reactive magnetron sputtering at a substrate temperature of 125 °C. We characterize the structural properties of the a-Si:H channel and a- SiNx:H dielectric layers using infra-red absorption, thermal hydrogen evolution,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1997-01, Vol.70 (2), p.226-227
Hauptverfasser:	McCormick, C. S., Weber, C. E., Abelson, J. R., Gates, S. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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