Gettering of Fe to below 1010 cm−3 in MeV self-implanted Czochralski and float zone silicon

The effects of Si ion fluence and oxygen concentration on secondary defect formation and gettering of metallic impurities in MeV self-implanted silicon have been studied for Czochralski (Cz) and float zone (FZ) silicon by means of deep level transient spectroscopy, secondary ion mass spectroscopy, t...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1996-12, Vol.69 (27), p.4203-4205
Hauptverfasser:	Kononchuk, O., Brown, R. A., Radzimski, Z., Rozgonyi, G. A., Gonzalez, F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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